קבל מסנן AC חדש עבור ממיר ויישום UPS מודרניים

תיאור קצר:

CRE מייצרת מגוון רחב של קבלים דיאלקטריים של סרטים - מפתרונות קבלים בעלי הספק גבוה לתעשיית הרכב וכלה בקבלי סרטים בעלי הספק גבוה המותאמים לכל יישומי הספק האלקטרוניים בטווח מתחים של 100V וולט עד 100 קילו וולט.

שלחו לנו מייל הורד כ-PDF

פירוט המוצר

תגיות מוצר

נתונים טכניים

טווח טמפרטורות הפעלה		טמפרטורת הפעלה מקסימלית., עליונה, מקסימום: +85℃ טמפרטורת קטגוריה עליונה: +70℃ טמפרטורת קטגוריה נמוכה יותר:-40℃
טווח קיבול	שלב בודד	20UF~500μF
	תלת פאזי	3×40UF～3×200μF
Un/ מדורג מתח Un		330V.AC/50Hz ~ 1140V.AC/50Hz
Cap.tol		±5%(J);
לעמוד במתח		Vt-t	2.15Un /10S
		Vt-c	1000+2×Un V.AC 60S(min3000V.AC)
מתח יתר		1.1 Un (30% משך הטעינה)
		1.15 לא (30 דקות ליום)
		1.2 לא (5 דקות ליום)
		1.3 לא (דקה ליום)
		1.5 Un (100ms בכל פעם, 1000 פעמים במהלך החיים)
גורם פיזור		tgδ≤0.002 f=100Hz
		tgδ0≤0.0002
התנגדות בידוד		RS*C≥10000S(ב-20℃ 100V.DC)
עיכוב בעירה		UL94V-0
כושר מקסימלי		2000 מ'
		כאשר הגובה הוא מעל 2000 מטר עד מתחת ל-5000 מטר, יש צורך לשקול שימוש בכמות מופחתת. (על כל עלייה של 1000 מטר, המתח והזרם יופחתו ב-10%)
תוחלת חיים		100000h(Un; Θhotspot≤55°C)
תקן ייחוס		IEC61071;IEC 60831;

תכונה

הטכנולוגיה שלנו היא עיצוב יבש בעיקר, המבוסס על דיאלקטרי פוליפרופילן.

היישומים נעים בין סינון DC, סינון AC, סבוב, תהודה לפריקה ואחסון אנרגיה גבוה.

יתרונות טכנולוגיים

קבלי סרט CRE זמינים במגוון רחב של תצורות ומפרטי ביצועים, קבלי סרט כוח מספקים פתרונות בטוחים יותר מאלומיניום אלקטרוליטי, בעלי טווח מתח מוגבל וסיכון גבוה לדליפה, ועוד מספר טכנולוגיות שאינן מסוגלות פיזית לעשות זאת בצורה בטוחה ויעילה. לטפל במתח גבוה וזרם גבוה בערכי קיבול שימושיים.

הצוות הטכני הניסיון שלנו תמיד תומך בלקוחות עם פתרונות ספציפיים ליישומים שלהם.

מעגל אופייני

mc2

תוחלת חיים

mc3

שרטוט מתאר של חד פאזי

ΦD(mm)	P(mm)	H1(mm)	S	F	M
76	32	20	M12×16	M6×10	M8×20
86	32	20	M12×16	M6×10	M8×20
96	45	20	M12×16	M6×10	M8×20
116	50	22	M12×16	M6×10	M8×20
136	50	30	M16×25	M6×10	M8×20

mc4

mc5

שרטוט מתאר של תלת פאזי

ΦD(mm)	H1(mm)	S	F	M	D1	P
116	40	M12×16	M6×10	M8×20	50	43.5
136	30	M16×25	M6×10	M8×20	60	52

mc6

מתח			Un=330V.AC Us=1200V
Cn (μF)	φD	H	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	IP(KA)	Is(KA)	Irms(A)50℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	P(mm)	משקל (ק"ג)
80	76	80	40	80	6.4	19.2	30	4	4.2	32	0.5
120	86	80	40	70	8.4	25.2	40	2.8	3.3	32	0.7
150	96	80	45	70	10.5	31.5	50	3.5	1.7	45	0.75
170	76	130	50	60	10.2	30.6	60	3.2	1.3	32	0.75
230	86	130	50	60	13.8	41.4	70	2.4	1.3	32	1.1
300	96	130	50	50	15.0	45.0	75	2.8	1.0	45	1.2
420	116	130	60	50	21.0	63.0	80	1.9	1.2	50	1.6

מתח			Un=450V.AC Us=1520V
Cn (μF)	φD	H	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	IP(KA)	Is(KA)	Irms(A)50℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	P(mm)	משקל (ק"ג)
50	76	80	40	90	4.5	13.5	30	4	4.2	32	0.5
65	86	80	50	80	5.2	15.6	40	2.8	3.3	32	0.7
80	96	80	45	80	6.4	19.2	50	3.5	1.7	45	0.75
100	76	130	50	70	7.0	21.0	60	3.2	1.3	32	0.75
130	86	130	45	60	7.8	23.4	70	2.4	1.3	32	1.1
160	96	130	50	50	8.0	24.0	75	2.8	1.0	45	1.2
250	116	130	60	50	12.5	37.5	80	1.9	1.2	50	1.6

מתח			Un=690V.AC Us=2100V
Cn (μF)	φD	H	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	IP(KA)	Is(KA)	Irms(A)50℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	P(mm)	משקל (ק"ג)
40	76	130	50	100	4.0	12.0	30	2.8	6.0	32	0.75
50	76	150	45	90	4.5	13.5	35	2.4	5.1	32	0.85
60	86	130	45	80	4.8	14.4	40	2.2	4.3	32	1.1
65	86	150	50	80	5.2	15.6	45	1.8	4.1	32	1.2
75	96	130	50	80	6.0	18.0	50	1.5	4.0	45	1.2
80	96	150	55	75	6.0	18.0	60	1.2	3.5	45	1.3
110	116	130	60	70	7.7	23.1	65	0.8	4.4	50	1.6
120	116	150	65	50	6.0	18.0	75	0.6	4.4	50	1.8

מתח			Un=850V.AC Us=2850V
Cn (μF)	φD	H	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	IP(KA)	Is(KA)	Irms(A)50℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	P(mm)	משקל (ק"ג)
25	76	130	50	110	2.8	8.3	35	1.5	8.2	32	0.75
30	76	150	60	100	3.0	9.0	40	1.2	7.8	32	0.85
32	86	130	45	100	3.2	9.6	50	1.15	5.2	32	1.1
45	86	150	50	90	4.1	12.2	50	1.05	5.7	32	1.2
40	96	130	50	90	3.6	10.8	50	1	6.0	45	1.2
60	96	150	60	85	5.1	15.3	60	0.9	4.6	45	1.3
60	116	130	60	80	4.8	14.4	65	0.85	4.2	50	1.6
90	116	150	65	75	6.8	20.3	75	0.8	3.3	50	1.8

Cn (μF)		φD	H	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	IP(KA)	Is(KA)	Irms(A)	ESR(mΩ)	Rth(K/W)	P(mm)	משקל (ק"ג)

	מתח			Un=400V.AC Us=1200V
	Cn (μF)	φD	H	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	IP(KA)	Is(KA)	Irms(A)50℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	P(mm)	משקל (ק"ג)
3×	110	116	130	100	60	6.6	19.8	3×50	3×0.78	4.5	43.5	1.6
3×	145	116	180	110	50	7.3	21.8	3×60	3×0.72	3.8	43.5	2.4
3×	175	116	210	120	50	8.8	26.3	3×75	3×0.67	3.5	43.5	2.7
3×	200	136	230	125	40	8.0	24.0	3×85	3×0.6	2.1	52	4.2

	מתח			Un=500V.AC Us=1520V
	Cn (μF)	φD	H	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	IP(KA)	Is(KA)	Irms(A)50℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	P(mm)	משקל (ק"ג)
3×	100	116	180	100	80	8.0	24.0	3×45	3×0.78	4.5	43.5	2.6
3×	120	116	230	120	70	8.4	25.2	3×50	3×0.72	3.8	43.5	3
3×	125	136	180	110	40	5.0	15.0	3×70	3×0.67	3.5	52	3.2
3×	135	136	230	130	50	6.8	20.3	3×80	3×0.6	2.1	52	4.2

	מתח			Un=690V.AC Us=2100V
	Cn (μF)	φD	H	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	IP(KA)	Is(KA)	Irms(A)50℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	P(mm)	משקל (ק"ג)
3×	49	116	230	120	70	3.4	10.3	3×56	3×0.55	2.1	43.5	3
3×	55.7	136	230	130	90	5.0	15.0	3×56	3×0.4	2.1	52	4.2

	מתח			Un=850V.AC Us=2580V
	Cn (μF)	φD	H	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	IP(KA)	Is(KA)	Irms(A)50℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	P(mm)	משקל (ק"ג)
3×	41.5	116	230	120	80	3.0	9.0	3×56	3×0.55	2.1	43.5	3
3×	55.7	136	230	130	50	0.4	1.2	3×104	3×0.45	1.8	52	4.2