עיצוב קבל IGBT Snubber ברמה גבוהה עבור יישומים בעלי הספק גבוה

תיאור קצר:

מכשיר SMJ-P לתיקון IGBT

1. מארז פלסטיק, אטום בשרף;

2. מוליכים מצופים נחושת, התקנה קלה עבור IGBT;

3. התנגדות למתח גבוה, tgδ נמוך, עליית טמפרטורה נמוכה;

4. ESL ו-ESR נמוכים;

5. זרם דופק גבוה;

6. בעל תעודת UL.

שלחו לנו אימייל הורד כקובץ PDF

פרטי מוצר

תגי מוצר

נתונים טכניים

טווח טמפרטורות הפעלה	טמפרטורת הפעלה מקסימלית, עליון, מקסימלית: +105℃ טמפרטורת קטגוריה עליונה: +85℃ טמפרטורת קטגוריה תחתונה: -40℃
טווח קיבול	0.1 מיקרופרנהייט～5.6 מיקרופרנהייט
מתח מדורג	700V.DC～3000V.DC
קפטול	±5% (J); ±10% (K)
לעמוד במתח	1.5Un DC/10S
גורם פיזור	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
התנגדות בידוד	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (ב-20℃ 100V.DC 60S) C＞0.33μF RS*C≥5000S (ב-20℃ 100V.DC 60S)
לעמוד בזרם פגיעה	ראה גיליון נתונים
עיכוב בעירה	UL94V-0
תוחלת חיים	100000h(Un; Θhotspot≤85°C)
תקן ייחוס	IEC61071;GB/T17702;

טבלת מפרט

מֶתַח	מתח מתח 700 וולט DC, מתח מתח 400 וולט מתח; מתח מתח 1050 וולט
	קוטר (מ"מ)
Cn(μF)	ליטר (±1)	T(±1)	H(±1)	שקיעת דם (ESR) ב-100 קילו-הרץ (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms @40℃ @100KHz (A)
0.47	42.5	24.5	27.5	12	25	500	235	8
0.68	42.5	24.5	27.5	10	25	480	326.4	10
1	42.5	24.5	27.5	8	24	450	450	12
1.5	42.5	33.5	35.5	7	25	430	645	5
2	42.5	33	35.5	6	24	420	840	15
2.5	42.5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42.5	33	45	5.5	22	380	1140	20
3	57.5	30	45	5	26	350	1050	22
3.5	42.5	33	45	5	23	350	1225	25
3.5	57.5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57.5	35	50	5	28	280	1316	25
5.6	57.5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57.5	38	54	3.5	33	230	1380	28
6.8	57.5	42.5	56	3.2	32	220	1496	32
8	57.5	42.5	56	2.8	30	200	1600	33
מֶתַח	מתח מתח בלתי מוגבל של 1000 וולט DC, מתח מתח 500 וולט Urms; מתח מתח בלתי מוגבל של 1500 וולט
	קוטר (מ"מ)
Cn(μF)	ליטר (±1)	T(±1)	H(±1)	שקיעת דם (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	אירמס
0.47	42.5	24.5	27.5	11	25	1000	470	10
0.68	42.5	24.5	27.5	8	25	800	544	12
1	42.5	33.5	35.5	6	24	800	800	15
1.5	42.5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42.5	33	45	5	22	700	1400	20
2.5	57.5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57.5	35	50	4	30	600	1800	25
3.3	57.5	35	50	3.5	28	550	1815	25
3.5	57.5	38	54	3.5	28	500	1750	25
4	57.5	38	54	3.2	26	500	2000	28
4.7	57.5	42.5	56	3	25	420	1974	30
5.6	57.5	42.5	56	2.8	24	400	2240	32
מֶתַח	מתח 1200 וולט DC, מתח 550 וולט Urms; מתח 1800 וולט Us
Cn(μF)	ליטר (±1)	T(±1)	H(±1)	שקיעת דם (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	אירמס
0.47	42.5	24.5	27.5	11	24	1200	564	10
0.68	42.5	33.5	35.5	7	23	1100	748	12
1	42.5	33.5	35.5	6	22	800	800	14
1.5	42.5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57.5	30	45	4	30	750	1500	20
2.5	57.5	35	50	4	28	700	1750	25
3	57.5	35	50	4	27	600	1800	25
3.3	57.5	38	54	4	27	550	1815	28
3.5	57.5	38	54	3.5	25	500	1750	28
4	57.5	42.5	56	3.5	25	450	1800	30
4.7	57.5	42.5	56	3.2	23	420	1974	32
מֶתַח	מתח 1700 וולט DC, מתח 575 וולט Urms; מתח 2250 וולט Us
Cn(μF)	ליטר (±1)	T(±1)	H(±1)	שקיעת דם (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	אירמס
0.33	42.5	24.5	27.5	12	25	1300	429	9
0.47	42.5	24.5	27.5	10	24	1300	611	10
0.68	42.5	33.5	35.5	8	23	1300	884	12
1	42.5	33	45	7	22	1200	1200	15
1.5	42.5	33	45	6	22	1200	1800	18
1.5	57.5	30	45	5	31	1200	1800	20
2	57.5	30	45	5	30	1100	2200	22
2.5	57.5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57.5	38	54	4	27	700	2100	25
3.3	57.5	38	54	3.8	26	600	1980	28
3.5	57.5	42.5	56	3.5	25	500	1750	30
4	57.5	42.5	56	3.2	25	450	1800	32
מֶתַח	מתח 2000 וולט DC, מתח 700 וולט Urms; מתח 3000 וולט Us
Cn(μF)	ליטר (±1)	T(±1)	H(±1)	שקיעת דם (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	אירמס
0.22	42.5	24.5	27.5	15	25	1500	330	10
0.33	42.5	33.5	35.5	12	24	1500	495	12
0.47	42.5	33.5	35.5	11	23	1400	658	15
0.68	42.5	33	45	8	22	1200	816	18
0.68	57.5	30	45	7	30	1100	748	20
0.82	42.5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57.5	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	57.5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57.5	38	54	5	24	800	1600	28
2.2	57.5	42.5	56	4	23	700	1540	32
מֶתַח	מתח מתח 3000 וולט DC, מתח מתח 750 וולט Urms; מתח 4500 וולט Us
Cn(μF)	ליטר (±1)	T(±1)	H(±1)	שקיעת דם (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	אירמס
0.15	42.5	33	45	18	28	2500	375	25
0.22	42.5	33	45	15	27	2200	484	28
0.22	57.5	35	50	15	25	2000	330	20
0.33	57.5	35	50	12	24	1800	495	20
0.47	57.5	38	54	11	23	1600	752	22
0.68	57.5	42.5	56	8	22	1500	1020	28